在用于CMOS器件的含锗沟道上对氧化硅和高K栅极电介质的无氧化锗的原子层沉积

摘要

包括含锗衬底的一种半导体器件，其中该半导体器件包括在半导体衬底的沟道区域上的栅极结构。该栅极结构可以包括与含锗衬底的上表面直接接触的氧化硅层、与氧化硅层直接接触的至少一个高‑k栅极电介质层、以及与高‑k栅极电介质层直接接触的至少一个栅极导体。氧化硅层和含锗衬底的上表面之间的界面基本上不含氧化锗。源极区域和漏极区域可以存在于沟道区域的相对侧上。