scaling; high-κ dielectrics; germanium; passivation; atomic layer deposition; infrared spectroscopy;
机译:硅和锗上的高K栅极电介质:表面处理的影响
机译:具有CVD HfO {sub} 2栅极电介质和硅表面钝化的栅极优先锗nMOSFET
机译:具有肖特基势垒Germanide S / D,高κGate介电层和金属栅的锗pMOSFET
机译:硅和锗的高κ门电介质:表面制备的影响
机译:具有高κ栅极电介质的硅,锗和III -V衬底中的电子迁移率计算
机译:用显微拉曼光谱法与二氧化硅比较研究高κ介电层的拉曼光谱
机译:降低高κ/金属栅堆叠表面制备工艺对环境的影响