在锗硅虚拟衬底上生长掺杂应变硅的结构研究

摘要

本文通过用锗硅虚拟衬底调节硅应变的方法，来研究应变对于硅基磁性半导体表面形貌和结构影响。本文首先在硅衬底用分子束外延(MBE)技术制备了锗硅虚拟衬底，方法是:先在450℃生长250纳米的低温硅层来吸收点缺陷和线缺陷，然后在550℃生长了300纳米的应变驰豫的锗硅合金层。通过原了力显微镜发现表面粗糙度控制在1纳米以下而且通过计算拉曼光谱(激发波长325纳米)的硅硅峰和锗硅峰的峰位，发现表面附近锗硅应变的驰豫度达到了98%。