机译:平面应变硅锗虚拟衬底上的应变硅薄膜的直接长生
AmberWave Syst Corp, Salem, NH 03079 USA;
Int SEMATECH, Adv Technol Dev Facil, Austin, TX 78741 USA;
Texas Instruments Inc, Silicon Technol Dev, Dallas, TX 75243 USA;
silicon; germanium; chemical vapor deposition; semiconductors; COVERED SI(001) NANOSTRUCTURES; BUDGET SURFACE PREPARATION; ENHANCED SI DIFFUSION; EPITAXIAL-GROWTH; SI(100); SI(111); DECOMPOSITION; GE(100); MOSFETS; OXYGEN;
机译:在离子注入的硅衬底上生长平坦表面的应变松弛的硅锗薄膜中的位错的观察
机译:使用激光退火在松弛的硅锗/绝缘体上硅衬底上形成应变硅
机译:高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅基板上应变硅-锗梯度薄层上的纯锗外延生长
机译:通过使用薄弛豫的SiGe膜作为虚拟衬底的直接晶圆键合在绝缘体上制造应变硅(SSOI)
机译:近场光电流研究了硅基板上弛豫的硅锗薄膜中温度和极化相关性。
机译:直接播种超薄碳膜的生长硅基衬底
机译:用薄氧化硅膜的氮化铝基板表面的平坦化
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。专题报告第3号。薄膜多晶硅太阳能电池的稳定性