灯丝温度对热丝CVD法制备p型氢化纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响

摘要

本文采用热丝化学气相沉积法在不同灯丝温度(1650～1850℃)下沉积了p型氢化纳米晶硅薄膜,研究了灯丝温度对薄膜微结构、光学性能及电学性能的影响。结果表明,随着灯丝温度的升高,薄膜的晶化率先增大后略微减小,最大值是55.5%。载流子浓度和霍尔迁移率先分别从5×1017cm-3和0.27 cm2/V.s增加到1.32×1020cm-3和0.43 cm2/V.s后略微减小,同时电导率从0.02 S/cm显著增加到8.95 S/cm,而电导激活能则从271.5 meV急剧减小至25 meV。