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郜小勇; 刘绪伟; 冯红亮; 卢景霄;
郑州大学物理工程学院,河南,郑州,450001;
掺磷氢化纳晶硅薄膜; 晶格畸变; 平均晶粒尺寸; 表面增强效应;
机译:Ar / H_2比对电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备掺磷氢化纳米晶硅薄膜特性的影响
机译:掺磷氢化纳米晶硅薄膜的电导特性
机译:退火对PECVD法制备掺硼氢化纳米晶硅薄膜微结构和压阻性能的影响
机译:PECVD法制备掺磷氢化纳米晶硅薄膜
机译:通过光学和热结电容技术研究掺磷的氢化非晶硅中的缺陷反应和晶格弛豫
机译:分子动力学作为研究晶粒尺寸和应变率对316L纳米晶不锈钢塑性变形的影响的手段
机译:用于过滤阴极真空电弧技术沉积磷掺杂氢化非晶碳化硅薄膜用于光检测应用的研究
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法低功率制备高导电掺磷N型微晶氢化硅薄膜的工艺
机译:掺磷用的有机硅薄膜
机译:掺锗的氢化非晶硅薄膜的制备
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