多层膜作为硬掩模和抗反射层的应变源漏CMOS的制作方法

摘要

本发明的多层膜作为硬掩模和抗反射层的应变源漏CMOS的制作方法，包括多晶硅栅极形成过程中淀积多层膜在多晶硅淀积层上，使光刻用光在衬底的反射率足够低可以满足光刻的要求，同时作为多晶硅栅极形成时的硬掩模，以及源漏硅凹陷刻蚀和外延生长硅锗或/和硅碳时的掩模，保护多晶硅栅极免受硅锗或硅碳的影响，而该多层膜在硅凹陷刻蚀和外延生长后，容易被去除，对间隔层没有明显侵蚀。