采用新硬掩模的应变源漏制作方法

摘要

采用新硬掩模的应变源漏制作方法，采用硼掺杂硅玻璃作为新的硬掩模材料，进行多晶硅栅的刻蚀，该硬掩模在源/漏区硅的凹陷刻蚀和硅锗外延生长时能保护多晶硅栅免受刻蚀以及硅锗在多晶硅栅极上外延生长，当采用氢氟酸和硫酸混合物或氢氟酸和乙烯醇混合物进行湿法去除时，这种硬掩模很容易被除去，而且在除去的过程中不会破坏栅极与源/漏间的侧墙间隔层。