2μmp阱CMOS工艺中提高源－漏穿通电压的方法

摘要

采用防穿通注入的工艺方案，对提高２μｍｐＭＯＳ管的源漏穿通电压应选用的工艺条件做了实验研究。给出了加防穿通注入工艺的实验结果及其对Ｖ＿（Ｔｐ）的影响。