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吴正立;
中国电子学会;
击穿电压;
机译:功率VD MOSFET结构中由位错引起的穿通导致漏源漏电流
机译:多门MOSFET穿通特性的综合研究-SOI MOSFET各种栅极形状的穿通电压趋势
机译:凹陷的沟道和/或掩埋的源极/漏极结构,用于提高具有高k栅极电介质的肖特基势垒源极/漏极晶体管的性能
机译:电压谐振电路中短路漏非穿通和穿通型IGBT的开关损耗分析
机译:基于电压源转换器的定制功率调节器的新型控制策略,可提高电压质量。
机译:使用隧道FET中的SiGe源/漏区提高ESD保护的鲁棒性
机译:无花果树中标记的光同化物的分配和源漏关系。 Roxo de Valinhos。 1.源漏关系无花果树cv中标记的光同化和源沉动力学分配。 Roxo de Valinhos。 1.源和汇动态
机译:栅极漏极几何对Gaas mEsFET电流电压特性的影响。
机译:测量电流的方法,涉及通过使用运算放大器使开关晶体管的漏极-源极电压对应于去耦晶体管的漏极-源极电压。
机译:用于内燃机的等离子体产生装置,具有带有开关晶体管的周期性脉冲电压发生器和齐纳二极管,齐纳二极管连接在晶体管的漏极和源极之间,以限制漏极和源极之间的电压差
机译:具有金属-半导体材料复合区域的半导体器件的制造方法,该方法能够减小源极和漏极区域的结深度,并提高晶体管的源极和漏极区域的接触电阻
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