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吴正立; 严利人; 王纪民; 蒋志; 王勇; 费圭甫;
清华大学微电子学研究所;
数字集成电路; 存储器; E^2PROM;
机译:虚拟源/漏NAND闪存中编程的相邻单元引起的阈值电压干扰的研究
机译:在非常低的漏极电压下,n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中碰撞电离的详细实验研究
机译:电压源三电平转换器中的超结MOSFET:动态行为和开关损耗的实验研究
机译:电压谐振电路中短路漏非穿通和穿通型IGBT的开关损耗分析
机译:基于电压源转换器的定制功率调节器的新型控制策略,可提高电压质量。
机译:使用隧道FET中的SiGe源/漏区提高ESD保护的鲁棒性
机译:燃料流中感应磁场强度变化对SINJAI 650 CC发动机性能的实验研究(案例研究:磁感应电压源的映射)
机译:绝缘体上硅n-mOsFET中的雪崩引起的漏源击穿
机译:CMOS设备,包括一个NMOS晶体管和一个漏极/源极区,该NMOS晶体管具有重复的漏极和源极区,而PMOS晶体管则具有一个硅/锗材料
机译:一种CMOS器件,其包括具有后继漏极和源极区的NMOS晶体管以及在漏极和源极区中具有硅/锗材料的PMOS晶体管
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