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孔明; 郭健民; 张科; 李文宏;
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
纯MOS结构; 电压基准; 阈值电压; 温度系数; 线性调整率;
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:亚阈值逻辑电路中nMOS和pMOS之间阈值电压不平衡导致串扰噪声增加
机译:从具有4.3 ppm 0; C温度系数的基本电流偏置发生器得出的基于阈值电压差的CMOS电压基准
机译:基于低压差稳压器PMOS和NMOS晶体管栅极-源极电压加权差的CMOS参考电压
机译:基于阈值电压差架构的CMOS技术的低于1V的电源参考电压。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:基于物理的阈值电压控制分析建模 完全耗尽的sOI双栅NmOs-pmOs柔性FET
机译:用于互连伪装的新型阈值电压定义复用器。
机译:一种CMOS器件,其包括具有后继漏极和源极区的NMOS晶体管以及在漏极和源极区中具有硅/锗材料的PMOS晶体管
机译:一种CMOS器件,包括具有凹陷的漏极和源极区的NMOS晶体管以及在漏极和源极中具有硅/锗材料的PMOS晶体管
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