提高P阱到N阱的反向击穿电压的方法和CMOS硅器件

摘要

本发明涉及一种提高P阱到N阱的反向击穿电压的方法和CMOS硅器件。所述CMOS硅器件，包括：P型硅衬底；P阱，位于所述P型硅衬底中，所述P阱中具有P+注入区；N阱，位于所述P型硅衬底中，所述N阱和所述P阱由所述P型硅衬底隔离，所述N阱中具有N+注入区。所述方法包括：提供一P型硅衬底；在所述P型硅衬底中形成N阱和P阱，所述N阱和P阱由所述P型硅衬底隔离；在所述N阱中形成N+注入区，在所述P阱中形成P+注入区。本发明可以在标准CMOS工艺下，提高P阱到N阱的反向击穿电压。