机译:半导体器件,其具有至少一个场氧化物区域和具有用于横向隔离的掩埋注入层的CMOS垂直调制阱(VMW),该阱具有在阱下方的第一部分,形成另一个相邻阱的第二部分以及垂直的po
公开/公告号US5814866A
专利类型
公开/公告日1998-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 GENUS INC.;
申请/专利号US19960617293
发明设计人 JOHN O. BORLAND;
申请日1996-03-18
分类号H01L29/76;H01L29/94;
国家 US
入库时间 2022-08-22 02:38:32