机译:用于0.5μmCMOS工艺中ESD保护的深阱栅极控制双向SCR器件的优化
Hunan Normal Univ Sch Phys & Elect Changsha 410081 Hunan Peoples R China;
Shanghai Univ Sch Mechatron Engn & Automat Shanghai 200444 Peoples R China;
Univ Western Ontario Fac Engn London ON N6A 3K7 Canada;
DDSCR; Gate-controlled; High holding voltage; Device simulation;
机译:用于0.18-μmBCD技术的高压电流栅极控制双向SCR,用于高压ESD保护技术
机译:采用深亚微米CMOS技术的PMOS触发SCR器件实现ESD初始保护概念
机译:采用深亚微米CMOS技术的PMOS触发SCR器件实现ESD初始保护概念
机译:0.5μm5V / 18V CDMOS技术中双向SCR ESD器件的设计与分析
机译:用于深亚微米ESD保护器件的衬底电阻的建模和表征。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:0.5微米CmOs IC技术中夹层短裤的分析;电子器件失效分析新闻(EDFaN)