鳍式场效应晶体管结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次淀积介质层和硬掩模层；步骤S02：在硬掩模层上淀积二氧化硅层；步骤S03：图形化二氧化硅层，形成第一鳍部；步骤S04：以氢气为还原剂，将第一鳍部的二氧化硅材料还原为单质硅，以形成第二鳍部；步骤S05：去除第二鳍部下方以外区域的硬掩模层和介质层材料；步骤S06：在第二鳍部的顶部和侧壁形成横跨第二鳍部的栅极结构。本发明避免了直接对硅材料进行刻蚀，降低了刻蚀工艺难度，可以精确控制鳍部的宽度和高度，并可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，降低了工艺成本。