退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
卢超; 陈伟; 罗尹虹; 丁李利; 王勋; 赵雯; 郭晓强; 李赛;
清华大学工程物理系 粒子技术与辐射成像(教育部重点实验室) 北京 100084;
西北核技术研究院 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西安 710024;
中国科学院国家空间科学中心 北京 101400;
单粒子瞬态; 源漏导通; 平台区电流;
机译:控制20nm级四端绝缘体上硅鳍形场效应晶体管的低待机功率操作,通过控制栅极下重叠长度来最小化栅极感应的漏漏
机译:离子注入源极和漏极延伸引起的绝缘体上硅三栅鳍型场效应晶体管阈值电压波动起因的三维研究
机译:离子注入对绝缘体上硅三栅鳍型场效应晶体管的源极和漏极延伸造成的阈值电压波动的起因,使用了三维工艺和器件仿真
机译:垂直堆叠纳米片栅全能MOSFET鳍和源/漏蚀刻工艺中的蚀刻斜率研究
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:漏极升高的鳍式隧道场效应晶体管的演示
机译:基于具有非对称源极和漏极结构的硅场效应晶体管的等离子太赫兹波检测器的增强光响应
机译:绝缘体上硅n-mOsFET中的雪崩引起的漏源击穿
机译:体鳍式场效应晶体管中硅鳍的鳍形底部附近的STI形状
机译:场效应晶体管的制造方法具有在多晶硅中与源极和漏极区域以及与场绝缘体的区域自对准的多晶硅门
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。