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机译:Al / TiN / SiO2结构对MOS电容器,肖特基二极管和鳍式场效应晶体管器件的影响
School of Electrical and Computer Engineering and Center for Semiconductor Components, University of Campinas, P.O. Box 6101, 13083-970 Campinas-SP, Brazil|c|;
机译:基于CdSe纳米线的柔性器件:肖特基二极管,金属半导体场效应晶体管和逆变器
机译:具有分离的包含不同隧穿氧化物厚度的双栅鳍式场效应晶体管结构的纳米级两比特非常规型氧化硅-氮化物-氧化硅-硅非易失性存储器件的仿真
机译:用于器件结构感知设计的7nm节点体鳍状场效应晶体管的热建模
机译:金刚石肖特基势垒二极管和金属半导体场效应晶体管的X射线辐射硬度表征
机译:有机电容器,肖特基二极管和场效应晶体管的制造,表征和建模。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:基于内部双肖特基二极管的光电开关 双极mose $ _2 $场效应晶体管