机译:窄sGe鳍式场效应晶体管通道中的边缘增强拉曼散射
机译:纳米聚焦拉曼光谱法测量窄sGe鳍式场效应晶体管沟道中的各向异性应力
机译:金属栅极功函数变化对沟道不掺杂的鳍式场效应晶体管亚阈值漏极电流波动的影响
机译:调制阈值电压,通过缩小鳍结构的宽度来实现增强型鳍结构的InGaAs高电子迁移率晶体管(fin-HEMT)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:漏极升高的鳍式隧道场效应晶体管的演示
机译:沟道电场分布对alGaN / alN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射的影响