首页> 中国专利> 一种干刻预处理方法及经该方法制得的铜柱凸块

一种干刻预处理方法及经该方法制得的铜柱凸块

摘要

本发明提供一种干刻预处理方法,包括以下步骤:1)提供一具有铜柱的芯片,且所述铜柱的上方具有焊料层;2)将所述芯片置于真空反应腔中,并进行氧化气体或所述氧化气体混合惰性气体干刻预处理,使得所述铜柱外表面形成氧化铜;3)高温回流所述焊料层,形成焊料凸点。本发明中公开的方法是在高温回流前加一步氧化气体干刻预处理工艺让铜柱侧壁氧化,避免焊料层经高温回流后发生流淌现象,且对保护层的刻蚀量为零,提高了芯片的可靠性和稳定性,本发明的干刻预处理方法低成本,零伤害,高效率,有效克服了现有技术中的种种缺点。

著录项

  • 公开/公告号CN108305861B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中芯长电半导体(江阴)有限公司;

    申请/专利号CN201710021189.6

  • 发明设计人 葛飞;吴欣华;

    申请日2017-01-12

  • 分类号

  • 代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人王华英

  • 地址 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号

  • 入库时间 2022-08-23 11:01:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-09

    授权

    授权

  • 2018-08-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/488 申请日:20170112

    实质审查的生效

  • 2018-07-20

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号