晶圆级铜柱凸块封装结构设计、工艺和性能研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 概述

1.2 芯片技术发展简介

1.3 封装技术发展简介

1.4 铜柱凸块工艺简介

1.5 铜柱凸块倒装芯片技术难点

1.6 本课题研究的意义

1.7 本课题研究内容

第二章 铜柱凸块特征结构对封装应力影响的研究

2.1 Low-k芯片铜柱凸块封装应力

2.2 实验设计

2.3 有限元模型建立

2.4 有限元分析结果与讨论

2.5 铜柱凸块结构优化在工程中的应用

2.6 本章小结

第三章 PI薄膜工艺及特征图形对晶圆翘曲影响的研究

3.1 PI薄膜引起晶圆翘曲

3.2 PI薄膜的工艺流程

3.3 晶圆翘曲测量及应力计算

3.4 实验设计

3.5 实验结果与讨论

3.6 PI薄膜对晶圆翘曲影响研究在工程中的应用

3.7 本章小结

第四章 电镀铜及退火工艺对晶圆翘曲影响的研究

4.1 电镀铜薄膜引起晶圆翘曲

4.2 电镀铜工艺

4.3 实验设计

4.4 实验结果与讨论

4.5 控制铜薄膜应力在工程中的应用

4.6 本章小结

第五章 溅射工艺对溅射界面电阻影响的研究

5.1 凸块电阻及界面电阻

5.2 溅射工艺与设备

5.3 真空与真空检漏

5.4 实时监控

5.5 电阻测量

5.6 实验设计

5.7 实验结果与讨论

5.8 研究结果在工程中的应用

5.9 本章小结

第六章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献

攻读博士学位期间取得的科研成果与奖励