一种全耗尽SOI结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种全耗尽SOI结构的制作方法，主要包括步骤：在埋氧层的顶面上形成半导体材料层，在图形化后的半导体材料层的顶面和两侧面上形成沟道材料层，去除半导体材料层；形成第一高介电材料层、第二高介电材料层、第一金属背栅材料层、第二金属背栅材料层；去除第一高介电材料层和第一金属背栅材料层，依次对沟道材料层、第二高介电材料层进行图形化，以在俯视图中于两端各暴露出一段第二金属背栅材料层，以形成第二复合结构；在第二复合结构的表面覆盖氧化层，然后减薄氧化层，形成浅沟槽隔离结构；继续完成剩余工艺，制得全耗尽SOI结构。该制作方法改进了FD‑SOI的制备工艺，降低了生产成本，因此，具有广阔的应用前景与良好的市场潜力。