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隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响

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摘要

在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数值模拟软件MEDICI吻合较好.

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来源
《半导体学报》 |2008年第3期|559-562|共4页
作者
许剑; 丁磊; 韩郑生; 钟传杰;
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作者单位

江南大学信息工程学院;

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
阈值电压; 二维效应; 全耗尽SOI; HALO结构;

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