机译:短沟道全耗尽双材料栅极SOI MESFET的电势分布和阈值电压的二维建模
Department of Electrical and Computer Engineering, Tehran University, North kargar Ave., Tehran 14395, Iran;
机译:完全耗尽的短沟道Si-SOI MESFET的电位分布和阈值电压的新二维模型
机译:完全耗尽的短栅长Si-SOI MESFET的阈值电压的二维分析模型
机译:完全耗尽的短栅长Si-SOI MESFET的阈值电压的简化二维分析模型
机译:新型完全耗尽的双金属栅极SOI MESFET的电势和阈值电压的二维分析建模和仿真
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机译:电压门控Ca通道抑制的计算模型:确定对子宫和心脏动作电位的不同影响
机译:副通道全耗尽SOI MOSFET的子阈值电流建模与后栅极控制
机译:Gaas mEsFET中压电感应阈值电压漂移的二维数值模型的开发与实验验证