机译:带有电感应S / D扩展的纳米级全耗尽SOI MOSFET的二维分析阈值电压模型
Device scaling; Insulated gate field-effect transistor (FET); Short-channel effects (SCEs); Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET; Threshold voltage; Two-dimensional (2-D) modeling;
机译:硅-绝缘体上锗(SGOI)MOSFET上的纳米级完全耗尽应变硅的紧凑分析阈值电压模型
机译:纳米级单层完全耗尽型绝缘体上应变MOSFET的简单分析阈值电压模型
机译:适用于圆柱形,完全耗尽的环绕栅(SG)MOSFET的紧凑型分析二维阈值电压模型
机译:具有高k栅极氧化物的纳米级全耗尽应变SOI MOSFET的分析表面电势和阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响