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机译:纳米级单层完全耗尽型绝缘体上应变MOSFET的简单分析阈值电压模型
MOSFET; Poisson equation; semiconductor device models; silicon-on-insulator; thin film transistors; work function; 2D Poisson equation; MOSFET; gate work functions; short-channel effects; silicon on insulator; strain effect; strained-silicon thin-film thickness; thin;
机译:硅-绝缘体上锗(SGOI)MOSFET上的纳米级完全耗尽应变硅的紧凑分析阈值电压模型
机译:适用于完全耗尽的短通道绝缘体上硅MOSFET的简单2D分析阈值电压模型
机译:带有电感应S / D扩展的纳米级全耗尽SOI MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:具有高k栅极氧化物的纳米级全耗尽应变SOI MOSFET的分析表面电势和阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:金刚石耗尽型mOsFET的简单模型。 (重新公布新的可用性信息)