...
机译:硅-绝缘体上锗(SGOI)MOSFET上的纳米级完全耗尽应变硅的紧凑分析阈值电压模型
Ge-Si alloys; MOSFET; Poisson equation; semiconductor device models; silicon-on-insulator; 2D Poisson equation; 2D modeling; SGOI; SiGe; nanoscale; short channel effects; silicon germanium on insulator; strained SOI MOSFET; threshold voltage; 2-D modeling; Nanoscale; sh;
机译:绝缘体上锗化硅(SGOI)MOSFET上堆叠式三材料门(TMG)应变硅(s-Si)的阈值电压的解析模型
机译:绝缘子上硅锗(SGOI)MOSFET上的亚阈值电流和短沟道应变硅(s-Si)的摆幅分析模型
机译:绝缘体上硅锗(SGOI)MOSFET上的短沟道双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)阈值电压的解析模型
机译:通过渐逝模式分析对绝缘体上锗硅(SGOI)MOSFET上的纳米级应变硅(s-Si)进行二维分析建模的方法
机译:部分耗尽的绝缘体上的分析模型 - 绝缘体MOSFET
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。