Arizona State University.;
Interface coupling; MOSFET; Partially-depleted; Semiconductors; Silicon-on-insulator;
机译:体结部分耗尽的绝缘体上硅n-MOSFET的异常跨导分析
机译:利用浅沟槽隔离寄生晶体管来表征部分耗尽的绝缘体上硅输入/输出n-MOSFET的总电离剂量效应
机译:具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄型全耗尽绝缘体上硅MOSFET的电势和阈值电压的解析模型
机译:在部分耗尽和完全耗尽的环绕栅晶体管上特别强调的短通道多栅极SOI MOSFET的分析模型
机译:对部分耗尽的绝缘体上硅MOSFET的瞬态辐射影响进行建模和仿真。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:基于表面电位的紧凑型模型,用于部分耗尽的绝缘体上硅mOsFET