Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India;
Silicon-Germanium-on-Insulator (SGOI); Strained-Si (s-Si); evanescent mode analysis;
机译:绝缘体上锗化硅(SGOI)MOSFET上堆叠式三材料门(TMG)应变硅(s-Si)的阈值电压的解析模型
机译:绝缘子上硅锗(SGOI)MOSFET上的亚阈值电流和短沟道应变硅(s-Si)的摆幅分析模型
机译:绝缘体上硅锗(SGOI)MOSFET上的短沟道双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)阈值电压的解析模型
机译:通过渐逝模式分析对硅锗 - 绝缘体(SGoI)MOSFET进行纳米级应变-SI(S-SI)的2D分析模拟方法
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。