多层电荷俘获区具有氘化层的非易失性电荷俘获存储器件

摘要

改进电荷俘获存储器件和由此制造的制品。在一个实施方案中，电荷俘获器件包括：具有源极区、漏极区以及电连接源极和漏极的沟道区的衬底。隧道介电层被置于衬底上方，且盖住沟道区，并且多层电荷俘获区被置于隧道介电层上。多层电荷俘获区包括置于隧道介电层上的第一氘化层、置于第一氘化层上的第一氮化物层、以及置于第一氮化物层之上的第二氮化物层。