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于宗光; 徐征; 叶守银; 张国华; 黄卫; 王万业; 许居衍;
信息产业部无锡微电子科研中心,无锡,214035;
EEPROM; 隧道氧化层; 陷阱俘获电荷; 耐久性; 擦写; 阈值电压; 电场;
机译:FLOTOX EEPROM单元的ONO多晶硅中的电荷陷阱
机译:电子俘获/发射过程中界面陷阱之间的相互作用:基于Shockley-Read-Hall理论的电荷泵电流的偏离
机译:氧化层中捕获的电荷导致纳米级电荷陷阱闪存的电降解机理
机译:在各种擦除/写入条件下,FLOTOX EEPROM隧道氧化物中陷阱电荷的产生和影响
机译:陷阱的产生和在二氧化硅中的降解及其对FLOTOX EEPROM单元的影响。
机译:揭示间质碘和氧钝化的氧化态对CH3NH3PbI3钙钛矿中电荷俘获和重组的影响:时域从头算研究
机译:16k FLOTOX EEPROM单元的ONO和隧道氧化物的制备与表征
机译:mOs(金属氧化物半导体)器件中陷阱电荷积累的偏压和氧化层厚度依赖性
机译:电荷俘获层,形成电荷俘获层的方法,使用该电荷俘获层的非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法
机译:在栅氧化层中使用电荷俘获的可编程存储单元
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