由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷

岳震; 徐玲; 安连涛

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由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷

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以传输线脉冲(TLP)为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot+的特性.当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲应力,其导致氧化层击穿的正氧化层陷阱电荷Qot+的质心变化和临界密度是相同的.当氧化层厚度为14nm时,在两种不同的应力下,Qot和质心的特性是不同的.TLP脉冲应力产生的负氧化层陷阱电荷的数量Qot-远小于直流应力产生的数量.热电子产生更有效的空穴陷阱以引发击穿.

著录项

来源
《微处理机》 |2009年第1期|8-10|共3页
作者
岳震; 徐玲; 安连涛;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳;

110032;

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳;

110032;

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳;

110032;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
静电放电; 栅电介质; MOS器件; 氧化层陷阱电荷; 传输线脉冲;

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