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于宗光; 夏树荣;
中国华昌电子集团公司中央研究所;
陷阱; 氧化层; E2PROM; 存储器;
机译:氧化层中捕获的电荷导致纳米级电荷陷阱闪存的电降解机理
机译:栅极到源极/漏极失准对源侧注入肖特基势垒电荷陷阱存储单元的影响,使用数值编程陷阱迭代来评估
机译:多晶硅薄膜晶体管栅氧化层中热空穴注入,陷阱和去陷的特性
机译:表征氮注入对0.17μm栅氧化层的影响厚度和击穿电荷
机译:贵金属离子注入对外科手术钛和6钛铝-4钒的腐蚀抑制和电荷注入能力的影响。
机译:陷阱辅助电荷注入到大带隙聚合物半导体中
机译:雪崩诱导的热电子注入和陷阱在p-si上的栅氧化层
机译:mOs(金属氧化物半导体)器件中陷阱电荷积累的偏压和氧化层厚度依赖性
机译:非易失性存储器件及其编程方法,包括使电子移动通过电荷陷阱层之间的焊盘氧化层
机译:非易失性存储器设备及其编程方法,包括在电荷陷阱层之间移动通过氧化层的电子
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