在多层电荷俘获区域含有氘化层的非易失性电荷俘获存储器

摘要

本文描述了非易失性电荷俘获存储器件。该器件在衬底上包括一个沟道区域和一对源/漏区域。栅堆垛在衬底的沟道区域的上方，位于源/漏区的中间。栅堆垛包括一个含有第一氘化层的多层电荷俘获区。多层电荷俘获区进一步包括无氘电荷俘获层。