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王泰寰; 伦志远; 矫亦朋; 刘晓彦; 杜刚;
北京大学深圳研究生院;
北京大学微电子学研究院;
电荷俘获存储器; 可靠性模拟; 界面缺陷;
机译:包含SiO2 / Si3N4界面过渡层的p沟道氧化硅-氮化物-氧化物-硅存储器件中电荷俘获特性的表征
机译:界面处热处理诱导的相互扩散对基于HfO_2 / Al_2O_3纳米层压材料的存储器件的电荷俘获性能的影响
机译:氧化铝中的电荷俘获及其对金属-氧化铝-氮化物-氧化物-硅存储器的操作的影响:实验和模拟
机译:用于改善金纳米颗粒电荷俘获层非易失性存储器可靠性应用的热退火
机译:用于模拟双材料界面中脱胶生长的耦合湿热粘合层模型
机译:水 - 己烷界面的小分子醇的相转移能量:使用电荷平衡模型进行分子动力学模拟
机译:通过量子分子动力学方法研究电子转移过程的简单模型:水和甲醇簇阴离子,以及带负电荷的水/空气界面=电子转移过程简单模型的量子分子动力学模拟:水和甲醇簇阴离子和带负电荷的水/空气界面
机译:在双极器件的发射极 - 基极/氧化物界面处增强的低速辐射诱导电荷俘获
机译:电荷俘获层,形成电荷俘获层的方法,使用该电荷俘获层的非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法
机译:以用于编程电荷俘获型介电存储器件的方式和方法来编程电荷俘获型介电存储器件
机译:在多层电荷俘获区中具有氘化层的非易失性电荷俘获存储器件
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