改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法

摘要

一种改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，包括：在衬底中形成浅沟槽隔离；对衬底进行阱注入以在衬底中形成N型阱或P型阱；在衬底上制作栅极氧化层，并在栅极氧化层上淀积栅极多晶硅，并进行栅极多晶硅的光刻，从而形成栅极结构；通过原子淀积生成的二氧化硅保护层；对衬底进行I/O轻掺杂注入以形成I/O器件漏轻掺杂结构；制作用于PMOS的第一栅极侧墙；进行PMOS轻掺杂注入以形成PMOS器件漏轻掺杂结构；执行SMT预处理并随后执行锗硅外延生长工艺；制作第二栅极侧墙；对硅进行NMOS轻掺杂注入以形成NMOS器件漏轻掺杂结构；进行源漏注入并进行热处理形成源漏极。