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【2h】

Investigation of In Situ Boron-Doping in SiGe Source/Drain Layer Growth for PMOS Devices

机译：PMOS器件中SiGe源/漏极层生长中原位硼掺杂的研究

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Min Zhong; Shou Mian Chen; David Wei Zhang;
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年度 2015
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1. Investigation of In Situ Boron-Doping in SiGe Source/Drain Layer Growth for PMOS Devices [J] . MinZhong, Shou MianChen, David WeiZhang Journal of nanomaterials . 2015,第1期

机译：PMOS器件的SiGe源/漏层生长中的原位硼掺杂研究
2. Low-Temperature Selective Growth of Heavily Boron-Doped Germanium Source/Drain Layers for Advanced pMOS Devices [J] . Clement Porret, Anurag Vohra, Nobuya Nakazaki, Physica status solidi . 2020,第3期

机译：用于高级pMOS器件的重掺杂硼的锗源极/漏极层的低温选择性生长
3. Low temperature epitaxial growth of Ge:B and Ge_(0.99)Sn_(0.01):B source/drain for Ge pMOS devices: in-situ and conformal B-doping, selectivity towards oxide and nitride with no need for any post-epi activation treatment [J] . Vohra Anurag, Porret Clement, Kohen David, Japanese journal of applied physics . 2019,第SB期

机译：Ge pMOS器件的Ge：B和Ge_（0.99）Sn_（0.01）：B源/漏的低温外延生长：原位和共形B掺杂，对氧化物和氮化物的选择性，无需任何后上位活化治疗
4. Selective Epitaxy of Si/SiGe to Improve pMOS Devices by Recessed Source/Drain and/or Buried SiGe Channels [C] . R. Loo, C. Walczyk, P. Verheyen, Electrochemical Society . 2006

机译：Si / Sige的选择性外延，通过嵌入的源/排水管和/或掩埋SiGe通道改进PMOS器件
5. Total Ionizing Dose Radiation Effects and Negative Bias Temperature Instability on SiGe pMos Devices [D] . Duan, Guoxing. 2016

机译：SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
6. Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors [O] . Guilei Wang, Jun Luo, Changliang Qin, 2017

机译：用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
7. Diffusion barrier cladding in Si/SiGe resonant interband tunneling diodes and their patterned growth on PMOS source/drain regions [O] . Niu Jin, Sung-yong Chung, Anthony T. Rice, 2003

机译：Si / SiGe谐振带间隧穿二极管中的扩散势垒覆层及其在PMOS源/漏区上的图形生长

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