具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法

摘要

本发明涉及具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法。一种用于形成半导体器件（102、104、106）的方法包括：在具有第一区域（104）和第二区域（102）的衬底（52）的表面之上形成第一多个纳米晶体（53），其中所述第一多个纳米晶体在所述第一区域和所述第二区域中形成并且具有第一密度；以及在形成所述第一多个纳米晶体之后，在所述第二区域中而不在所述第一区域中的所述衬底的所述表面之上形成第二多个纳米晶体（63），其中在所述第二区域中所述第一多个纳米晶体连同所述第二多个纳米晶体导致了第二密度，其中所述第二密度大于所述第一密度。