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陈松岩; 李玉东; 王本忠; 张玉贤; 刘式墉; 刘悦;
集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区,长春,130023;
电子工业部第13研究所,石家庄,050051;
低压MOVPE; GaAs-InP复合材料; 金属半导体场效应晶体管; 异质外延;
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:碰撞电离金属氧化物半导体器件与隧穿场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的集成工艺
机译:抑制16 NM金属氧化物-半金属半导体场效应晶体管器件中随机掺杂引起的特征波动的双门方法的新结构
机译:使用不同的表面电荷模型对二维氢化纳米晶金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行表征和分析,并进行器件仿真
机译:氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构的生长,表征和器件处理。
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:用于垂直栅极 - 全邻金属氧化物半导体场效应晶体管的垂直栅极 - 全氧化物半导体场效应晶体管制备期间的方差减少
机译:用于器件应用的金属有机化学气相沉积异质外延生长3-5个半导体化合物。最终报告,1983年10月至1987年8月。
机译:具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
机译:制备双扩散金属-氧化物---半导体场效应晶体管器件的方法,以及用这种方法制造的器件
机译:P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)半导体器件,其制造方法以及互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
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