机译:碰撞电离金属氧化物半导体器件与隧穿场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的集成工艺
机译:使用双垫片制造工艺形成的碰撞电离金属氧化物半导体晶体管的器件物理和性能优化
机译:通过扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱法通过沿0.1μm的金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极的横截面评估器件配置
机译:肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管作为谐振隧穿器件
机译:与隧道场效应晶体管(TFET)集成的70-nm碰撞电离金属 - 氧化物半导体(I-MOS)器件
机译:氮化铝镓/氮化镓金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的器件设计和制造。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:碳纳米管金属氧化物半导体中的带间隧穿 场效应晶体管由声子辅助隧穿主导