Keywords: GaN growth oxides high-κ surfaces treatments interface ALD;
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积栅极氧化物
机译:N型和P型4H-SiC(0001)金属氧化物半导体器件的氮化栅极氧化物的可靠性
机译:高性能鳍片型金属氧化物半导体场效应晶体管的四(二甲基氨基)钛前体基原子层沉积和物理气相沉积氮化钛栅极的实验比较
机译:使用低压化学气相沉积氧化物的氮化镓金属-绝缘体-半导体电容器
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面处理和沉积栅氧化层
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。