激光溅射沉积制备的氮化镓表面形貌分析

摘要

利用激光溅射沉积工艺室温下在n型Si(111)基片上沉积氮化镓(GaN)薄膜,并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量,分析了薄膜生长的动力学过程,发现其表面具有自仿射分形特征.通过对高度-高度相关函数的分析,得出在此工艺条件下GaN薄膜生长界面表现出明显的时间和空间标度特性,并且表现出较为明显的颗粒特征,粗糙度指数α随着生长时间的增加逐渐增大,生长指数β在0.42左右,薄膜生长在短时间内可以用Kuramoto-Sivashinsky模型来描述,当生长时间较长时,可以用Mullins扩散模型来描述.