法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/40 申请日:20170119
实质审查的生效
2017-06-20
公开
公开
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: 基于石墨烯和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长氮化镓的方法
机译: 生长基于氮化镓的半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子设备,表皮基质和基于氮化镓的半导体电子设备的方法