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孙莉莉; 薛成山; 庄惠照; 艾玉杰; 孙传伟; 王福学;
山东师范大学半导体研究所;
济南大学信息科学与工程学院;
GaN; 氨化; 磁控溅射;
机译:具有RF溅射法的氮化镓压电薄膜的天文台和SC加入具有RF溅射法,HF和Mo金属对准层的使用氮化镓薄膜改善了
机译:用Cermet靶通过反应溅射制备的Zn受体/ Sn供体编号氮化镓膜的处理和性能表征
机译:射频溅射制备的掺硅多晶氮化镓薄膜的晶界散射
机译:用氧化镓和氮化镓混合粉末制备氮化镓纳米粒子作为原料
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制备与表征
机译:镓弧蒸发系统氮化镓气相氮化物生长氮化镓的研究。
机译:基于石墨烯和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长氮化镓的方法
机译:3--制备基团-氮化物半导体晶体的方法制备基于氮化镓的复合半导体-基于氮化镓的复合半导体-镓镓的半导体-光导体-光导体-装置的发光装置和设备
机译:-iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
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