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具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法

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公开一种在半导体基板(12)上制造的半导体器件。第一绝缘层(18)被形成于半导体基板上以用作半导体基板(12)的第一区域(14)内的高压晶体管(38)的栅极电介质。在第一绝缘层(18)形成之后，第二绝缘层(24)被形成于半导体基板(12)上以用作基板(12)的第二区域(22)内的非易失性存储器晶体管(40)的栅极电介质。在第二绝缘层(24)形成之后，第三绝缘层(36)被形成于半导体基板(12)上以用作基板(12)的第三区域(34)内的逻辑晶体管(44)的栅极电介质。

著录项

公开/公告号CN101569006B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-03-09

原文格式PDF
申请/专利权人飞思卡尔半导体公司;
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申请/专利号CN200880001261.8
发明设计人 R·A·劳;R·穆拉利德哈;
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申请日2008-01-10
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人秦晨
地址美国得克萨斯
入库时间 2022-08-23 09:06:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-24

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/8247 变更前: 变更后: 申请日:20080110

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2011-03-09

授权

授权
2011-03-09

授权

授权
2009-12-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-12-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-10-28

公开

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2009-10-28

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