AI写作工具
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN210005813U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-01-31
原文格式PDF
申请/专利权人 洛克利光子有限公司;米兰理工大学;
申请/专利号CN201790001047.7
发明设计人 余国民;G.伊塞拉;J.弗里格里奥;A.巴拉比奥;
申请日2017-01-16
分类号G02F1/017(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人李湘;闫小龙
地址 英国伦敦
入库时间 2022-08-22 12:23:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-31
授权
机译: SOI平台上的量子受限斯塔克效应电吸收调制器
机译:量子点矩阵系统中持久性空穴燃烧的光谱学:量子限制的斯塔克效应和电吸收
机译:半导体球形层中的量子限制斯塔克效应和电吸收
机译:在1 V摆幅下工作的SOI上的C波段侧入式Ge量子阱电吸收调制器
机译:Ge / SiGe多量子阱中基于量子限制斯塔克效应的高速电吸收调制器
机译:短腔DBR激光器使用量子阱混合技术与高速电吸收调制器集成在一起。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:基于带蓝移的逆量子约束斯塔克效应的蓝色量子电吸收调制器
机译:异质结构量子限制斯塔克效应电光调制器工作在938 nm