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罗毅; 蒲锐; 孙长征; 彭吉虎; 平田隆昭; 江口匡史; 中野义昭; 多日邦雄;
清华大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室,横河电机株式会社光电子学研究所,东京大学工学部电子工学科东京都;
DFB激光器; 调制器; 光子集成器件; GaAlAs; GaAs;
机译:光子制造的基于过程的成本建模:InP平台上1550 nm DFB激光器和电吸收调制器的单片集成的成本竞争力
机译:InGaAs-GaAs量子点激光器和量子阱电吸收调制器在硅上的单片集成
机译:使用Franz-Keldysh电吸收调制器与DFB激光器单片集成的光子混合
机译:短腔DBR激光器使用量子阱混合技术与高速电吸收调制器集成在一起。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:电吸收调制器中的微波生成与DFB激光器集成的电磁注射
机译:空间光调制器在Gaas / alGaas多量子阱中使用电荷耦合器件寻址和电吸收效应
机译:吸收型衍射光栅的形成及利用该衍射光栅形成的增益耦合型DFB激光的制造
机译:电场吸收型光调制器,具有电磁场吸收型光调制器的半导体集成元件,使用其的模块以及利用电磁场吸收型光调制器制造半导电型集成元件的方法
机译:用于数据传输的光电组件包括单片集成的激光二极管和单片集成的光波导,耦合了电吸收调制器
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