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吴荣汉; 高文智; 赵军; 段海龙; 林世鸣; 钟战天; 黄永箴; 王启明;
国家集成光电子学联合实验室,中国科学院半导体所;
多量子阱; 光调制器; SEED; 砷化镓;
机译:GaAs / GaAlAs多量子阱电吸收反射调制器和自光电效应器件(种子)
机译:GaAs / GaAlAs梯度折射率分离约束单量子阱单模波导电吸收光调制器
机译:场效应晶体管自电光效应器件:集成光电二极管,量子阱调制器和晶体管
机译:GaAs / GaAlAs多量子阱电反射调制器
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:GaAs-GaAlAs多量子阱结构中电导率和量子霍尔效应的量子校正
机译:空间光调制器在Gaas / alGaas多量子阱中使用电荷耦合器件寻址和电吸收效应
机译:使用具有纯效应量子势垒和夹在其间的非纯效应量子势垒的多量子阱结构的电光调制器
机译:具有串联量子阱二极管的用于向输入光信号提供整数增益的自电光效应装置
机译:多量子阱结构,具有相同结构的光学半导体器件和光调制器
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