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基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵

摘要

一种基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵器件,列阵中的每个光调制器/探测器的结构相同,其中包括:一衬底;一布拉格反射镜,该布拉格反射镜制作在衬底上;一多量子阱光吸收区,该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上,该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积;一高反布拉格反射镜,该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上,该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同;正电极制作在高反布拉格反射镜上;负电极制作在布拉格反射镜上,并在多量子阱光吸收区的一侧;二氧化硅绝缘层、淀积在器件表面。

著录项

  • 公开/公告号CN1319175C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN03102769.5

  • 申请日2003-01-17

  • 分类号H01L27/14(20060101);H01L31/09(20060101);H01S5/00(20060101);G02B1/02(20060101);G02B5/08(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-03-18

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2007-05-30

    授权

    授权

  • 2004-10-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-08-04

    公开

    公开

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