公开/公告号CN1319175C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-05-30
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申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN03102769.5
申请日2003-01-17
分类号H01L27/14(20060101);H01L31/09(20060101);H01S5/00(20060101);G02B1/02(20060101);G02B5/08(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 08:59:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-03-18
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-05-30
授权
授权
2004-10-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-08-04
公开
公开
机译: 使用具有纯效应量子势垒和夹在其间的非纯效应量子势垒的多量子阱结构的电光调制器
机译: 包括多量子阱光电探测器的光调制器门阵列
机译: 基于石墨烯的等离激子缝隙电光调制器