基于半导体多量子阱中激子能级的EIT全光开关

摘要

我们报道了一种全新的全光开关,该光开关是在半导体多量子阱中基于激子和双激子能级形成的EIT效应,利用量子相干相消效应来减小材料对探测光场的吸收,且探测光场吸收的强度可以通过控制光场来调节。若将控制光场设置为脉冲光场,则可以实现探测光场的开关调制,通过选取适当的控制光场的强度,可以得到约86%的开关效率。